Уверенность Intel в собственном техпроцессе 14A (класс 1,4 нм) растёт по мере снижения плотности дефектов. Внутренние команды компании уже разрабатывают продукты под эту технологию, а внешние заказчики интересуются доступными объёмами, рассказал финансовый директор Intel Дэвид Зинснер на технологической конференции Deutsche Bank 2026. Он дошёл до утверждения, что 14A — лучший процесс компании со времён 22 нм начала 2010-х. Заявление оптимистичное, но с оговорками.
Источник изображения — tomshardware.com
Что именно сказал финансовый директор
«Если посмотреть на плотность дефектов, 14A идёт лучше целевой кривой, которую мы для него закладывали, — заявил Зинснер. — Он также опережает все предыдущие узлы по скорости, с которой мы снижаем дефектность. Фактически, мы не видели такой динамики со времён 22 нм, а это, пожалуй, один из лучших техпроцессов, которые Intel когда-либо выпускала».
Почему сравнение требует осторожности
Intel планирует начать пробное производство собственных продуктов на 14A во втором полугодии 2027 года и выйти на массовый выпуск в 2028-м — то есть до серийного производства ещё около двух лет. Соответственно, слова финансового директора означают лишь, что на текущем этапе разработки траектория снижения дефектности выглядит как минимум не хуже, чем у исключительно удачного 22-нм процесса в сопоставимой точке (то есть в 2010 году).
Здесь есть сразу несколько подводных камней. Во-первых, нынешняя плотность дефектов на 14A не обязательно эквивалентна плотности дефектов на 22 нм за два года до массового производства. Во-вторых, из-за прогресса оборудования обработки и инспекции пластин то, что Intel считает дефектом сегодня, может отличаться от того, что считалось дефектом шестнадцать лет назад. И в-третьих, плотность дефектов сама по себе не равна выходу годных изделий.
Технологическая пропасть между 22 нм и 14A
Процесс 22 нм стал для Intel первым с транзисторами FinFET и на тот момент самым передовым в мире: остальная отрасль перешла на FinFET лишь с узлами класса 14 и 16 нм в 2014–2015 годах. Для сравнения, 14A будет использовать транзисторы RibbonFET второго поколения с архитектурой gate-all-around, вторую генерацию подачи питания с обратной стороны пластины (PowerDirect) и допускает применение литографии High-NA EUV из-за исключительной сложности формирования рисунка. С учётом всего этого сообщение о необычно хорошем снижении дефектности задолго до массового производства действительно выглядит хорошей новостью.
А вот сравнение 14A с преемниками 22 нм для Intel скорее утешительное: массовое производство 14 нм задержалось на год из-за недостаточного выхода годных, первое поколение 10 нм оказалось провалом, 20A был отменён, плотность дефектов на 18A оставалась высокой даже к моменту выхода на серийный выпуск, а о прогрессе узлов Intel 4 и Intel 3 компания почти ничего не сообщала.
Спрос со стороны заказчиков стал практическим
Обнадёживающий сигнал в том, что внешние клиенты уже разрабатывают продукты под этот узел, и интерес перешёл из теоретической плоскости в практическую. «Мы видим спрос от наших внутренних заказчиков на 14A, а это, вероятно, самая скептичная публика из всех, — отметил Зинснер. — Тот факт, что они теперь проектируют продукты под 14A, придал уверенности и нам. Взаимодействие с внешними клиентами по контрактному производству также значительно выросло. Команда встречается с заказчиками еженедельно. Они переходят от изучения данных к вопросам «сколько мощностей я смогу получить» и «как будут выглядеть поставки».
Историческая справка для понимания масштаба: массовое производство процессоров Ivy Bridge на 22 нм Intel начала на рубеже 2011–2012 годов, коммерческий выпуск состоялся в конце апреля 2012-го. Продукт оказался крайне успешным (хотя оверклокеры невзлюбили его из-за неэффективного термоинтерфейса между кристаллом и крышкой), а сам техпроцесс служил компании многие годы: сначала для процессоров с 2012 по 2016 год, затем для других изделий. От 14A Intel ждёт такого же долголетия.
