История с обвинениями китайского производителя памяти CXMT в краже коммерческих тайн Samsung получила новое развитие. В южнокорейском процессе уже есть несколько обвинительных приговоров, двое бывших инженеров Samsung получили реальные сроки. Но свежая глава выглядит особенно громко: корейское издание NoCut News рассказало о «Проекте Хэфэй» — предполагаемой дорожной карте CXMT, где по пунктам расписаны «приобретение» технологий, переманивание персонала и выход на производство.
Источник изображения — tomshardware.com
По утёкшим судебным документам, обвинение считает «Проект Хэфэй» полноценным планом разработки DRAM, который возглавил руководитель развития компании — в прошлом глава направления DRAM в Samsung. Датируется документ примерно августом 2016 года, то есть появился он спустя всего пару месяцев после основания самой CXMT в июне того же года.
План по пунктам
Если коротко, замысел выглядел так: заполучить технологический регламент Samsung (PRP) к сентябрю 2016-го, переманить ключевых инженеров к октябрю, завершить НИОКР в июле 2017-го и с августа 2018 года начать выпуск пластин DRAM темпом 10 000 штук в месяц. По данным издания, набор PRP описывает 620 этапов производства памяти и содержит сведения об оборудовании, расходных материалах и методах.
Показательна последовательность событий. В августе 2016 года CXMT впервые попыталась изготовить пластины с 18-нанометровыми чипами, опираясь на коллективную память нанятых инженеров Samsung. Воспоминаний не хватило — и уже в сентябре, предположительно получив незаконный доступ к PRP, компания подготовила собственный аналогичный документ. В утёкших данных фигурировали даже конкретные поставщики оборудования и номера моделей.
Этот «новый» регламент раздали ключевым специалистам, многие из которых пришли из Samsung и, по мнению обвинения, обязаны были мгновенно узнать источник. В документе сохранились обозначения и пометки о ходе техпроцессов, характерные исключительно для корейской компании. Свидетелем по делу выступил уже осуждённый исследователь, ранее получивший семь лет за то, что вручную скопировал части регламента перед уходом в CXMT.
Почему это больше, чем корпоративный спор
Разбирательство идёт в судах Южной Кореи с января 2024 года, и сводить его к формуле «одна компания украла технологию у другой» было бы упрощением. Десять лет назад рынок DRAM почти целиком делили между собой Samsung, Micron и SK hynix. CXMT создали в июне 2016 года в городе Хэфэй — отсюда и название проекта — при государственных вложениях около 1,9 млрд долларов и, как утверждается, вовсе без исследовательской базы и планов её строить.
Пройти путь от нулевой инфраструктуры и отсутствия компетенций до выпуска пластин DRAM чуть более чем за два года — результат беспрецедентный. Один только запуск фабрики памяти обычно занимает от двух до четырёх лет, и это без учёта времени на исследования. Тем не менее в 2019 году компания заявила, что её тогдашние чипы DDR4 на 8 Гбит разработаны полностью самостоятельно как «скачкообразная независимая» технология, и начала продавать память на внутреннем рынке.
ИИ-бум как ускоритель
Дальше в дело вмешался спрос на память со стороны ИИ-инфраструктуры, выкосивший мировые складские запасы. Для CXMT это обернулось взрывным ростом: с примерно 4% мирового рынка DRAM во втором квартале 2025 года до около 10% во втором квартале 2026-го. Впервые более чем за десятилетие «большая тройка» удерживает меньше 90% рынка.
Производственные мощности расширены до трёх фабрик по 12-дюймовым пластинам, совокупный выпуск за год ожидается на уровне 350 000 пластин — почти столько же выдаёт Micron (375–385 тысяч). В планах вторая фабрика в Пекине с выходом на более 600 000 пластин в месяц.
Финансовые показатели впечатляют не меньше: выручка за второй квартал 2026 года выросла на 716%, а июльское IPO на шанхайской бирже STAR Market подняло котировки на 466%, принеся компании 8,6 млрд долларов и звание самого дорогого производителя чипов на китайском фондовом рынке. Около 70% этих денег, по сообщениям, пойдут на дальнейшее расширение выпуска обычной DRAM, а не более дорогой и сложной HBM — хотя образцы HBM3E компания уже поставила подразделению T-Head от Alibaba и разработчику Cambricon, пока Samsung и SK hynix осваивают HBM4.
Ущерб Samsung, по последней оценке обвинения от декабря 2025 года, составлял «как минимум десятки триллионов вон». С учётом прошедшего времени грубая экстраполяция даёт порядок 40 триллионов вон — около 29,5 млрд долларов, и цифра продолжает расти.
Для покупателей за пределами этой истории вывод куда прозаичнее: чем быстрее растёт четвёртый крупный поставщик DRAM, тем сильнее давление на цены памяти — и тем менее устойчивой становится ценовая власть «большой тройки», от которой зависят и российские сборщики ПК. Если обвинения подтвердятся, речь пойдёт не о корпоративном инциденте, а об экономическом событии геополитического масштаба.
