Техпроцесс A14 от TSMC достиг почти 90% целевой производительности транзисторов и такого же выхода годных на тестовых кристаллах 256-Мбит SRAM — прибавка за три месяца
Второе поколение транзисторов GAA позволило A14 созревать заметно быстрее, чем N2 на аналогичном этапе разработки
Опытное производство запланировано на 2027 год, массовое — на вторую половину 2028-го, но высокие показатели могут сдвинуть сроки
Заказчики уже проектируют чипы под A14 для смартфонов и задач ИИ/HPC, опережая согласованный график
Техпроцесс TSMC A14 (1,4 нм) за последние три месяца показал стремительный прогресс и заметно опережает то, где находился N2 на сопоставимой стадии разработки. Данные были раскрыты в ходе квартального отчёта компании — конференция для аналитиков и инвесторов прошла 16 июля 2026 года. Технология вызывает высокий интерес у заказчиков сразу в двух сегментах: смартфонных процессоров и решений для ИИ и высокопроизводительных вычислений (HPC).
Источник изображения — tomshardware.com
«Разработка технологии A14 идёт по плану и продвигается хорошо. Внутренний тестовый образец, близкий к реальному изделию, продемонстрировал производительность устройств около 90%, а выход годных 256-Мбит SRAM также составил около 90%», — заявил Си Си Вэй, генеральный директор TSMC.
Что означают эти два показателя
Компания оперирует двумя разными метриками зрелости, и путать их не стоит:
- Производительность устройств — насколько близко изготовленные транзисторы подобрались к заданным электрическим характеристикам по скорости и энергопотреблению.
- Выход годных 256-Мбит SRAM — какая доля тестовой структуры памяти проходит функциональный контроль. Ячейки SRAM повторяются на кристалле миллионы раз в почти идентичном виде, поэтому они отлично подходят для оценки плотности дефектов и однородности процесса.
Ожидается, что A14 выйдет на массовое производство во второй половине 2028 года, а опытные партии пойдут уже в 2027-м. В апреле текущего года компания сообщала, что узел преодолел планку в 85% целевой производительности транзисторов и 80% выхода годных для 256-Мбит SRAM. Спустя примерно три месяца оба показателя приблизились к 90%: прирост составил около 5 процентных пунктов по производительности и почти 10 пунктов по выходу годных SRAM.
Сравнение с N2: разрыв в темпах очевиден
Для сравнения: техпроцесс N2 в апреле 2023 года показывал более 80% целевой производительности устройств и лишь свыше 50% выхода годных на тестовом кристалле 256-Мбит SRAM. К апрелю 2024 года он продвинулся до более чем 90% целевой производительности и 80% выхода годных. Траектории нельзя сопоставлять напрямую, но цифры однозначно указывают: A14 созревает существенно быстрее, чем N2 на аналогичной дистанции до запуска.
Столь быстрый прогресс объясняется, как минимум отчасти, накопленным опытом TSMC в работе с транзисторами GAA (gate-all-around, с кольцевым затвором). В 2023 году такого опыта у компании почти не было — N2 стал её первым узлом с этой структурой. A14 же опирается на второе поколение GAA-транзисторов и выигрывает от доработок конструкции, отладки самого процесса и производственной практики, полученной при выводе N2 на рынок.
Похоже, TSMC удалось устранить многие факторы, ограничивавшие выход годных и у A14, и у N2. При этом стоит помнить: высокий выход годных на 256-Мбит SRAM говорит лишь о достаточно низкой плотности дефектов и хорошей однородности процесса на предельно повторяемой тестовой структуре. Это не прямой показатель функционального или параметрического выхода коммерческого процессора. С ростом площади кристалла вероятность того, что дефект испортит весь кристалл, тоже растёт, а крупные CPU, GPU и ИИ-ускорители сочетают разнородные логические блоки, кэш, межсоединения и аналоговые узлы.
Сроки могут сдвинуться влево
Тем не менее показатели, приближающиеся к 90% примерно за 2,5 года до предполагаемого старта серийного выпуска, ставят A14 значительно впереди N2. Такой задел даёт TSMC два варианта: начать крупносерийное производство раньше плана — при условии готовности проектов заказчиков — либо стартовать с более высокими, чем обычно, показателями функционального и параметрического выхода. Косвенно на опережение работает и строительство профильной фабрики: по данным отраслевых аналитиков, первый корпус предприятия под 1,4 нм рассчитывают сдать раньше апреля 2027 года.
Говоря о готовности проектов, Вэй отметил, что заказчики стремятся сдавать разработки под A14 досрочно, и это хороший знак. Любопытно, что A14 в базовом варианте не получит технологию подачи питания с обратной стороны пластины Super Power Rail (SPR) — она достанется узлу A12, запланированному на 2029 год. Тем не менее уже базовый A14 будет применяться не только в клиентских процессорах, но и в задачах ИИ и HPC.
«Мы наблюдаем высокий уровень интереса и вовлечённости клиентов как в смартфонных приложениях, так и в HPC/ИИ, а активность по сдаче новых проектов идёт с опережением графика», — сказал Вэй.
Что такое A14 и что будет после него
A14 — техпроцесс следующего поколения, сочетающий транзисторы GAA второго поколения с новой архитектурой стандартных ячеек и расширенной гибкостью проектирования NanoFlex Pro. По сравнению с N2 компания обещает прирост скорости на 10–15% при том же энергопотреблении и числе транзисторов либо снижение потребления на 25–30% при той же частоте и сложности. Плотность транзисторов вырастет примерно на 20% для смешанных проектов и на 23% для логики.
Семейство A14 планируется расширять ежегодно. Ниже — как выглядит ближайшая часть дорожной карты компании:
Отдельно Вэй подчеркнул, что догнать TSMC на переднем крае производства конкурентам будет непросто: короткого пути здесь нет, и выбор технологии с последующим наращиванием объёмов — процесс небыстрый. Для рынка СНГ это означает, что устройства на A14 доберутся до полок не раньше 2029 года: между стартом серийного выпуска и появлением готовых смартфонов и ноутбуков обычно проходит от полугода.
