Верховный суд Китая окончательно запретил Infineon продавать спорные нитрид-галлиевые (GaN) компоненты на материковом Китае — решение вступило в силу немедленно
Вердикт поддержал постановление нижестоящего суда, обязавшего Infineon выплатить около 1,48 миллиона долларов за нарушение двух патентов Innoscience
Infineon заявила о категорическом несогласии с решением, пообещала обжаловать его и оценила влияние запрета на свой GaN-бизнес как «крайне ограниченное»
Стороны обменялись судебными победами в разных странах: Infineon добилась запрета на ввоз продукции Innoscience в США, а немецкий суд также признал нарушение со стороны китайской компании
Обе компании входят в список поставщиков Nvidia для перехода на 800-вольтовую архитектуру питания ИИ-стоек, где GaN критически важен для снижения тока и повышения КПД
Верховный народный суд Китая в пятницу подтвердил судебный запрет, не позволяющий Infineon продавать спорные продукты на основе нитрида галлия (GaN) на материковом Китае, поставив точку в патентном споре, который инициировал конкурент из Сучжоу — компания Innoscience. Решение вступило в силу немедленно. Обе компании входят в утверждённый список поставщиков Nvidia для систем питания ИИ-стоек напряжением 800 В, и этот вердикт подводит черту под годом разбирательств, в ходе которых каждая сторона одержала победу в разных юрисдикциях.
Источник изображения — Getty / Pla2na
Суд оставил в силе решение Сучжоуского промежуточного народного суда от 27 мая, который установил, что Infineon нарушила два патента на изобретения компании Innoscience, и предписал прекратить продажу, предложение к продаже и импорт спорных продуктов, а также выплатить 10 миллионов юаней (примерно $1,48 миллиона) в качестве компенсации ущерба. Infineon обратилась за пересмотром в Верховный суд, однако тот подтвердил решение нижестоящей инстанции в полном объёме, сделав запрет окончательным и подлежащим принудительному исполнению.
В Infineon с вердиктом не согласились. Представитель компании заявил, что решение окажет «крайне ограниченное» влияние на её GaN-бизнес, поскольку затрагивает лишь небольшую часть продуктовой линейки. «Infineon решительно не согласна с решением суда», — отметил он, добавив, что компания будет обжаловать вердикт и использует все законные возможности, чтобы отстоять своё лидерство в области GaN-технологий.
Параллельно идут разбирательства в других странах. В мае полный состав Комиссии по международной торговле США (ITC) подтвердил более раннее заключение о том, что Innoscience нарушила патент Infineon, и ввёл запреты на импорт и продажу с 60-дневным периодом президентского пересмотра. При этом Innoscience оспаривает значимость этого решения: компания указывает, что то же заключение ITC сняло претензии с её модернизированных текущих продуктов, а поставки в США продолжаются без перебоев. Третьим фронтом стало немецкое разбирательство в Мюнхенском окружном суде I: ещё в августе 2025 года местные судьи признали нарушение патента Infineon со стороны Innoscience и запретили продажу спорных продуктов в Германии, а дальнейшие слушания по патентам и полезным моделям были назначены на этот месяц.
«Это решение в очередной раз подчёркивает надёжность интеллектуальной собственности Infineon», — заявил Йоханнес Шойсволь, старший вице-президент и глава бизнес-направления GaN Systems компании Infineon, в майском комментарии по поводу решения ITC.
Почему ставки так высоки. GaN — базовый материал, обеспечивающий переход Nvidia от распределения в стойках на 54 В к архитектуре с напряжением 800 В постоянного тока для стоек мощностью свыше 200 кВт с прицелом на мегаватт. Повышение напряжения в стойке до 800 В снижает ток и расход меди по всей цепочке преобразования, а более быстрое переключение GaN сокращает число каскадов питания между стойкой и ядром графического процессора. И Infineon, и Innoscience значатся в списке поставщиков кремниевых решений Nvidia для этого перехода — наряду с Texas Instruments, Navitas и onsemi. Именно Innoscience была выбрана единственным китайским поставщиком GaN-решений на 800 В для будущего ускорителя Rubin Ultra, выход которого ожидается в 2027 году.
Сам рынок стремительно растёт: по оценке аналитиков, объём сегмента силовых GaN-устройств может увеличиться с примерно 2,7 миллиарда юаней (около $382 миллионов) в 2024 году до 19,2 миллиарда юаней к 2028 году — это порядка 63% ежегодного прироста.
Расстановка сил на рынке объясняет накал борьбы. По данным TrendForce, в 2024 году Innoscience занимала лидирующую позицию в мире среди производителей силовых GaN-устройств с долей 29,9%, опережая Navitas (16,5%), EPC (12,4%), тогда как Infineon была четвёртой с 10,3%. Infineon противопоставляет этому собственное производство GaN-на-кремнии на 300-мм пластинах и около 450 патентных семейств GaN — против 8-дюймовых фабрик Innoscience в Сучжоу и Чжухае. Согласно годовому отчёту Infineon, на материковый Китай, Гонконг и Тайвань в совокупности пришлось 38% выручки компании за 2025 финансовый год, так что китайский рынок для неё далеко не второстепенный.
Рынок отреагировал на решение бурно. Акции Innoscience, торгующиеся на Гонконгской фондовой бирже, в понедельник подскочили на 16,6%. Шанхайские производители полупроводниковых соединений Silan Microelectronics и Sanan Optoelectronics достигли 10-процентного дневного лимита роста, а производитель силовых микросхем China Resources Microelectronics подорожал примерно на 13%.
