Kioxia и SanDisk представили на конференции FMS 2026 чип BiCS10 3D QLC NAND с рекордной для отрасли плотностью хранения 37 Гбит/мм²
Чип построен на 332 активных слоях и получил интерфейс Toggle DDR6.0 до 4800 МТ/с с поддержкой протокола SCA
Прирост битовой плотности достигает 60% по сравнению с восьмым поколением BiCS
Технология PI-LTT снижает энергопотребление скоростных выходных драйверов без потери целостности сигнала
По плотности хранения новинка опережает конкурирующие решения Samsung и SK hynix, несмотря на меньшее число слоёв
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026, прошедшей в Санта-Кларе 4 августа, Kioxia и SanDisk официально представили новый 3D QLC NAND-чип BiCS10. Он обладает самой высокой в мире ареальной плотностью среди формально анонсированных решений и предназначен для высокоёмких твердотельных накопителей дата-центрового класса. Новая микросхема — следующий шаг после 3D TLC NAND-чипа BiCS10 от тех же производителей, предлагающего ареальную плотность более 29 Гбит/мм².
Источник изображения — tomshardware.com
Новый чип BiCS10 3D QLC NAND достиг ареальной плотности 37 Гбит/мм², что делает его самым плотным 3D NAND-устройством хранения, официально представленным на сегодняшний день, — прирост битовой плотности по сравнению с восьмым поколением BiCS достигает 60%. Устройство построено на 332 активных слоях и получило интерфейс Toggle DDR6.0 со скоростью до 4800 МТ/с с поддержкой протокола раздельной адресации команд (SCA), который разделяет сигналы команд и адресов от потока данных, позволяя эффективнее использовать пропускную способность высокоскоростного интерфейса. Точная ёмкость чипа пока не раскрывается. Если исходить из сопоставимого количества ячеек памяти и примерно того же размера кристалла, что и у представленной ранее TLC-версии BiCS10 ёмкостью 1 Тбит, QLC-вариант может иметь ёмкость порядка 1,33 Тбит — впрочем, эта цифра остаётся лишь оценкой, не подтверждённой производителями.
Архитектура и энергоэффективность
В основе BiCS10 лежит архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array): логические схемы и массив памяти изготавливаются на отдельных пластинах, которые затем соединяются методом прямого сращивания. Такой подход позволяет оптимизировать технологический процесс под задачи каждого слоя отдельно и повышает эффективность масштабирования и производства. Поскольку SSD дата-центрового класса должны сочетать высокую ёмкость с достойной производительностью при экономном энергопотреблении, Kioxia и SanDisk также внедрили технику изолированного питания с низкоимпедансной терминацией (PI-LTT), которая снижает мощность, потребляемую высокоскоростными выходными драйверами, без ущерба для целостности сигнала.
Сравнение с конкурентами
Несмотря на меньшее число слоёв (332 против более 400), BiCS10 QLC обходит по плотности хранения новую V-NAND-микросхему Samsung, представленную на той же конференции: у решения южнокорейской компании плотность составляет около 28 Гбит/мм² против 37 Гбит/мм² у BiCS10. Также чип Kioxia и SanDisk опережает по этому показателю конкурирующую 321-слойную разработку SK hynix. Это показывает, что число физических слоёв — не единственный фактор, определяющий итоговую плотность: свой вклад вносят и более плотная горизontальная упаковка ячеек, и переход на QLC-кодирование с хранением четырёх бит на ячейку вместо трёх у TLC, и оптимизация топологии кристалла.
«Переопределяя границы производительности и эффективности QLC NAND, наша флэш-память 3D QLC 10-го поколения BiCS обеспечивает одновременный прирост плотности, пропускной способности и энергоэффективности и устанавливает новую парадигму для высокоемких флэш-накопителей, создавая масштабируемую основу для инфраструктурных приложений следующего поколения», — заявил Алпер Илькбахар, технический директор SanDisk.
Перспективы для рынка
Растущие объёмы данных, которые генерируются при обучении и инференсе ИИ-моделей, вынуждают индустрию хранения одновременно наращивать ёмкость, производительность и энергоэффективность накопителей — на это обращают внимание и в самой Kioxia. Поскольку Kioxia и SanDisk производят чипы BiCS10 по новейшему техпроцессу, компании не только достигают рекордной битовой плотности, но и рассчитывают снизить издержки по сравнению с конкурирующими высокоплотными 3D QLC NAND-микросхемами по мере роста выхода годных кристаллов. Это может позволить обеим компаниям предлагать сверхвысокоёмкие SSD по ценам ниже, чем у конкурентов, либо получать более высокую маржу при продаже по сопоставимым ценам.
Kioxia и SanDisk намерены использовать новые 3D NAND-чипы BiCS10 в первую очередь для хранилищ дата-центрового класса — в частности, для SSD, ориентированных на задачи искусственного интеллекта, которым требуются одновременно высокая ёмкость и производительность. Появятся ли решения на основе BiCS10 QLC в потребительских SSD и когда именно это произойдёт, производители пока не уточняют.
