Раньше анонсы Samsung о новых 3D-чипах памяти или очередном поколении V-NAND хранилищ вызывали только предвкушение: более быстрая загрузка систем, мгновенное открытие файлов, доступные накопители большого объёма. Сегодня всё иначе — компания снова показала впечатляющие образцы памяти следующего поколения, но львиная доля этих технологий в первую очередь достанется дата-центрам, обслуживающим искусственный интеллект, и лишь затем — обычным пользователям.
Главное о новых разработках Samsung
- Архитектура zHBM размещает память вертикально прямо над ИИ-ускорителями и повышает производительность до восьми раз по сравнению с памятью HBM5.
- Технология V-NAND V10 BV-NAND впервые в отрасли преодолела барьер в 400 слоёв ячеек памяти, увеличив плотность хранения примерно на 58% относительно предыдущего поколения V9.
- Дефицит памяти на фоне ИИ-бума продолжает разгонять цены на смартфоны, игровые консоли и ноутбуки, и, по оценкам аналитиков, ситуация может не улучшиться ещё несколько лет.
- Компания показала первый в отрасли стандарт LPDDR5X-PIM с обработкой данных прямо в памяти для повышения энергоэффективности устройств.
Источник изображения — engadget.com
Все анонсы прозвучали на выставке Future of Memory and Storage (FMS) 2026, которая проходит в Санта-Кларе (Калифорния) с 4 по 6 августа. На открывающем докладе под названием «Driving the Wave of AI Revolution» топ-менеджеры подразделения памяти Samsung представили видение компании по развитию трёхмерных архитектур памяти для будущей ИИ-инфраструктуры. На стенде компании, оформленном в стиле облачного ИИ-сервера, были показаны около 30 разных технологий памяти и хранения данных.
zHBM: память вертикально над процессором
zHBM — новая архитектура на базе HBM (High Bandwidth Memory), которая сегодня применяется в основном в дата-центрах, ИИ-ускорителях и небольшом числе топовых видеокарт. Ключевое отличие zHBM в том, что модули памяти располагаются не рядом с логическим процессором на общей подложке, как это происходит с обычной HBM, а вертикально — прямо поверх ИИ-ускорителя. Это сокращает физическое расстояние между вычислительным чипом и памятью и, по данным Samsung, поднимает производительность в пересчёте на GPU до восьми раз по сравнению с HBM5, при этом энергоэффективность растёт втрое, а тепловое сопротивление благодаря новой технологии отвода тепла снижается более чем вдвое.
Архитектура также использует технологию соединения пластин следующего поколения — благодаря ей плотность памяти может вырасти более чем в десять раз по сравнению с нынешним поколением HBM5. Кроме того, zHBM поддерживает кастомизацию под заказчика: между слоями памяти и ускорителя можно встраивать специализированные IP-блоки, расширяя объём памяти или повышая производительность под конкретные задачи клиента. Точных сроков выхода готовых продуктов на базе zHBM или их стоимости Samsung пока не раскрывает — на выставке были показаны только первые концептуальные образцы.
V10 BV-NAND и zNAND-O: рекорды плотности флеш-памяти
Одновременно Samsung анонсировала новое поколение V-NAND-памяти, применяемой в SSD, картах памяти и других типах накопителей. Модель V10 BV-NAND построена на новой технологии bonding-соединения пластин, которая впервые в отрасли позволяет разделить производство ячеек памяти и управляющей логики. Это дало возможность преодолеть барьер в 400 слоёв и увеличить плотность памяти примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, одновременно повысив скорость чтения, записи и обмена данными.
Отдельно компания показала zNAND-O — решение следующего поколения на основе V-NAND, доступное в четырёх- и восьмислойных версиях. Оно сочетает высокую пространственную эффективность, возросшую производительность ввода-вывода и низкую задержку и рассчитано в первую очередь на периферийные («edge») ИИ-среды — устройства, обрабатывающие ИИ-задачи локально, а не через облако. Ещё одна новинка выставки — LPDDR5X-PIM, первая в отрасли LPDDR-память с обработкой данных прямо внутри самих чипов (processing-in-memory), что должно снизить энергопотребление устройств за счёт сокращения обмена данными с процессором.
Почему обычным покупателям от этого не легче
Наряду с SK Hynix, Samsung — одна из двух компаний, контролирующих большую часть мирового производства памяти. Обе они уже давно не справляются с растущим спросом, который создаёт бум искусственного интеллекта: производители переориентируют мощности на дорогую и высокомаржинальную HBM-память для дата-центров в ущерб обычным чипам DRAM и NAND для потребительской электроники. По оценке Gartner, к концу 2026 года цены на память могут вырасти примерно на 130% год к году, что должно поднять розничные цены на ПК примерно на 17%, а на смартфоны — на 13% по сравнению с уровнем 2025 года. В SK Hynix уже предупредили, что дефицит памяти способен сохраняться вплоть до 2030-х годов.
Эффект уже заметен и на полках магазинов: часть производителей ноутбуков и телефонов повышает цены напрямую, а часть — тихо урезает конфигурации, оставляя прежний ценник, но кладя в устройство меньше оперативной памяти или экран попроще. Игровые консоли не исключение: рост стоимости памяти уже официально называли одной из причин подорожания консоли Nintendo Switch 2 в США. Пока Samsung, SK Hynix и Micron выстраивают долгосрочные контракты с производителями ИИ-серверов, обычным покупателям электроники, судя по всему, придётся мириться с более высокими ценами ещё не один год.
