Главный производитель памяти в Китае — компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) — приступила к рисковому производству памяти HBM3E. Формально CXMT по-прежнему отстаёт на поколение от «большой тройки» производителей, которая уже выпускает HBM4 серийно, но сам факт выхода на уровень HBM3E показывает, насколько быстро китайская компания сокращает разрыв.
Источник изображения — tomshardware.com
Стоит уточнить, что такое «рисковое производство» (risk production). Это промежуточная стадия между опытными образцами и массовым выпуском: линия работает по финальному техпроцессу, но выход годных ещё не отлажен, а параметры изделий могут отличаться от того, что в итоге попадёт в серию. Заказчики получают партии для квалификации на свой риск — отсюда и название. По разным оценкам, до массового производства CXMT может добраться примерно к 2027 году.
Что известно о характеристиках
Точные спецификации продуктов CXMT не раскрываются, и на стадии рискового производства характеристики образцов вполне могут отличаться от финальных. Зато общие требования JEDEC к HBM3E хорошо известны: шина шириной 1024 бита, скорость передачи до 9,6 ГТ/с на контакт и стек из 8 или 12 кристаллов памяти. В зависимости от частотной градации HBM3E обеспечивает до 1,228 ТБ/с пропускной способности на один стек.
Ёмкость зависит от числа кристаллов в стеке: на 24-гигабитных чипах восьмиэтажная сборка даёт 24 ГБ, двенадцатиэтажная — 36 ГБ. Для сравнения, именно такие стеки лежат в основе большинства современных ускорителей для обучения нейросетей, где нехватка пропускной способности памяти давно стала более узким местом, чем сама вычислительная мощность.
Кто уже тестирует китайскую HBM
По данным отчёта, образцы HBM3E от CXMT уже проверяют вместе со своими процессорами несколько китайских разработчиков продвинутых чипов, включая T-Head (подразделение Alibaba Group) и Cambricon Technologies. Если испытания и квалификация пройдут по плану, эти компании смогут начать применять память CXMT в коммерческих продуктах уже в следующем году.
Есть и обратная сторона такого успеха. Каждой HBM-сборке требуется несколько крупных кристаллов DRAM, поэтому наращивание выпуска высокоскоростной памяти съедает значительную долю обычных производственных мощностей. Именно здесь пригодится агрессивное расширение фабрик, которым CXMT занимается последние годы: без запаса по пластинам HBM пришлось бы выпускать за счёт сокращения поставок массовой памяти.
Почему HBM сложнее обычной DRAM
Освоение HBM3E важно для CXMT сразу по нескольким причинам, и само поколение памяти здесь, пожалуй, значит меньше, чем принципиальная способность компании производить работоспособную HBM в принципе.
Дело в том, что HBM заметно сложнее обычной оперативной памяти. Компании нужны не только конкурентоспособные кристаллы DRAM, но и высокий выход годных при стекировании, сквозные кремниевые переходные отверстия (TSV), сверхтонкие межсоединения, продуманный теплоотвод, продвинутая упаковка и тестирование готовых сборок. Каждый из этих этапов — самостоятельная технология, и провал на любом из них обнуляет весь стек. Выход на рисковое производство HBM3E доказывает, что китайская экосистема памяти развивается дальше выпуска рядовых модулей DRAM.
Второй аргумент — HBM входит в число критически важных компонентов современных ИИ-ускорителей. Если память CXMT пройдёт квалификацию с процессорами Cambricon, T-Head и других китайских разработчиков, страна станет заметно менее зависимой от Micron, Samsung и SK hynix при сборке высокопроизводительного оборудования для ИИ.
Третий момент: отставание на поколение — не приговор. HBM3E остаётся очень производительной памятью и способна выдавать несколько терабайт в секунду, чего вполне достаточно для мощных ускорителей. Многим китайским разработчикам ИИ-чипов HBM4 или HBM4E попросту не нужны, чтобы собрать работающие системы: узким местом чаще оказываются не характеристики памяти, а её физическая доступность.
Геополитика и что это значит для рынка
Наконец, есть важный геополитический аспект. Экспортные ограничения перекрывают Китаю доступ и к передовым ИИ-процессорам, и к высокоскоростной памяти для них. Связка из чипов китайской разработки, HBM3E производства CXMT и собственной продвинутой упаковки означает, что страна делает очередной шаг к полупроводниковой самодостаточности — пусть и с отставанием от лидеров.
Для рынка за пределами Китая новость двойственная. С одной стороны, ещё один поставщик HBM теоретически снижает давление на дефицитный сегмент. С другой — производство HBM оттягивает мощности от обычной DRAM, а именно её дефицит, вызванный бумом ИИ, последние месяцы разгоняет цены на модули памяти по всему миру. Покупателю в СНГ это касается напрямую: розничные цены на оперативную память и SSD в регионе следуют за мировыми контрактными котировками, только с добавкой на логистику и курс.
Практических выводов на сегодня два. Первый: ускорители на китайской памяти в ближайший год останутся внутренним продуктом для рынка КНР, и рассчитывать на них как на альтернативу решениям Nvidia в СНГ не стоит. Второй: если CXMT доведёт HBM3E до массового выпуска к 2027 году, «большая тройка» впервые за долгое время получит конкурента в сегменте, где до сих пор делила рынок втроём — а конкуренция в памяти исторически заканчивалась снижением цен.
