CXMT начала рисковое производство HBM3E — прорыв китайской DRAM-индустрии
Китайская ChangXin Memory Technologies приступила к рисковому производству памяти HBM3E. Образцы уже тестируют Cambricon и T-Head из Alibaba, а массовый выпуск возможен к 2027 году.
