Samsung представила zHBM и V10 BV-NAND — память нового поколения для эпохи ИИ
Samsung показала архитектуру zHBM и накопитель V10 BV-NAND: до 8 раз прироста производительности для ИИ-ускорителей и рекордная плотность V-NAND на фоне продолжающегося дефицита памяти, который разгоняет цены на электронику.
