- Intel первой в мире перевела в крупносерийное производство процессоры с использованием High NA EUV-литографии — раньше эта технология применялась только в исследовательских целях
- Более высокая числовая апертура сканера позволяет печатать мелкие и плотные структуры за одно экспонирование, снижая потребность в сложном мультипаттернинге
- Отдельные слои Intel 18A прошли двойную квалификацию и совместимы как с новыми сканерами ASML EXE (NA 0,55), так и с прежними NXE (NA 0,33)
- Panther Lake использует High NA EUV только для части слоёв, а не для всего кристалла
- Комплект оборудования EXE стоит порядка 350–400 млн долларов — примерно вдвое дороже обычного EUV-сканера
Intel перевела в крупносерийное производство часть процессоров Intel Core Ultra Series 3 «Panther Lake», используя технологию High NA EUV-литографии компании ASML, и стала первой компанией в отрасли, отгружающей заказчикам коммерческие логические чипы, изготовленные по этой технологии. ASML объявила об этом в пресс-релизе в среду, 15 июля 2026 года, в 08:01 по московскому времени, подтвердив, что Intel Foundry применяет сертифицированные слои High NA на техпроцессе Intel 18A.
Источник изображения - Intel
Что такое High NA EUV
High NA EUV долгое время считалась преемницей нынешней EUV-литографии: технология обещает продлить масштабирование полупроводников за счёт печати более мелких и плотных схем, которые становится всё сложнее получить на существующем оборудовании. До сих пор платформа применялась только в исследовательских целях — нынешнее объявление ASML стало первым случаем, когда High NA EUV использовали для крупносерийного производства и отгрузки коммерческого логического чипа.
Технология использует тот же экстремальный ультрафиолетовый свет с длиной волны 13,5 нанометра, что и нынешние сканеры, но увеличивает числовую апертуру (NA) оптической системы — то есть способность линз собирать и фокусировать свет на кремниевой пластине — с 0,33 до 0,55. Более высокое значение позволяет за одно экспонирование разрешать более тонкие детали, а значит печатать мелкие структуры с большей точностью и контролем процесса.
Ожидается, что более высокое разрешение снизит зависимость от сложных методов многократного экспонирования на самых требовательных слоях — это упростит производство и повысит воспроизводимость структур. В перспективе это должно дать более высокую плотность транзисторов и более высокую производительность будущих процессоров — тем более на фоне того, как рабочие нагрузки ИИ продолжают подстёгивать спрос на всё более совершенные полупроводниковые технологии. При этом один комплект оборудования EXE стоит порядка 350–400 млн долларов — примерно вдвое дороже обычного EUV-сканера, и таких систем в мире установлено пока меньше десятка.
«Повышение разрешения и улучшение контроля процесса делают внедрение High NA EUV важной вехой в развитии полупроводниковой литографии, — заявил президент и генеральный директор ASML Кристоф Фуке. — Мы гордимся тем, что играем роль в печати более мелких и плотных структур, которая ускорит прогресс в области ИИ и других новых технологий».
Что изменилось у Panther Lake
Процессор Panther Lake, построенный на техпроцессе Intel 18A, стал первопроходцем в этом переходе. Intel не стала заменять всю литографическую линейку целиком, а применяет High NA EUV только для отдельных слоёв — остальная часть кристалла по-прежнему изготавливается на обычной литографии. Эти слои прошли двойную квалификацию: один и тот же слой можно экспонировать как на сканере NXE с NA 0,33, так и на сканере EXE с NA 0,55, а получаемые пластины при этом взаимозаменяемы и дают выход годных, сопоставимый с показателями действующей платформы NXE.
Основной объём Panther Lake выпускается на заводе Fab 52 в Чандлере, штат Аризона, — именно там сосредоточено крупносерийное производство Intel 18A. А слои, обработанные по технологии High NA, квалифицированы и обрабатываются на исследовательской площадке Intel в Хилсборо, штат Орегон, где установлены системы EXE. Формулировка о том, что продукция «отгружается заказчикам», означает передачу пластин с фабрики в цепочку поставок, а не запуск нового продукта на рынок: Panther Lake — не будущий, а уже продающийся чип.
Исполнительный вице-президент и генеральный менеджер Intel Foundry Нага Чандрасекаран заявил, что квалификация опции High NA на отдельных слоях продуктов Intel 18A позволяет существующему парку оборудования Intel обеспечить более высокий объём выпуска, сохраняя при этом гибкость для будущих техпроцессов.
Как Intel и ASML пришли к этому шагу
Intel и ASML шли к этой цели несколько лет. В 2024 году Intel завершила установку одной из первых в отрасли коммерческих систем High NA EUV-литографии — TWINSCAN EXE:5000 — на своей исследовательской площадке в Хилсборо. Позже компания первой в отрасли прошла приёмочные испытания системы ASML второго поколения — TWINSCAN EXE:5200B: она даёт более высокую производительность по пластинам и точность совмещения слоёв, а также оснащена улучшенным источником EUV-излучения по сравнению с предшественницей.
Хронология запуска Panther Lake
- 5 января 2026 года — анонс Core Ultra Series 3 на выставке CES
- 6 января 2026 года — старт предзаказов
- 27 января 2026 года — начало глобальных продаж систем на Panther Lake
- Апрель 2026 года — выход Core Ultra X9 378H и бюджетной линейки Core Series 3 под кодовым названием Wildcat Lake
- 28 мая 2026 года — выход линейки Arc G3 для портативных устройств
Хотя нынешнее объявление знаменует коммерческий дебют High NA EUV, оно не означает, что весь Panther Lake производится по новой литографической платформе: Intel сертифицировала High NA лишь для отдельных слоёв — так исторически и внедряются новые поколения литографии, прежде чем найти более широкое применение в будущих техпроцессах. По данным ASML, компании продолжат совместную работу над готовностью High NA, сохраняя гибкость для интеграции технологии в будущие узлы по мере потребностей заказчиков. В первую очередь речь идёт о техпроцессе Intel 14A, который изначально проектировался с расчётом на использование High NA на наборе самых плотных слоёв.
