Транзистор на 600 °C из Киото: карбид кремния на обычном фабричном техпроцессе
В Киотском университете собрали карбид-кремниевый транзистор, работающий при 600 °C и изготовленный стандартной ионной имплантацией. Нижний затвор и двойной изолирующий колодец сократили разброс порогового напряжения с 2 В до 0,1 В — разбираем, чем это отличается от разработок NASA и что мешает применить технологию завтра.
